(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211359072.6 (22)申请日 2022.11.02 (71)申请人 深圳市芯片测试技 术有限公司 地址 518000 广东省深圳市龙岗区横岗街 道志盛社区隆盛花园兴龙阁5A (72)发明人 黄辉　 (74)专利代理 机构 深圳汉林汇融知识产权代理 事务所(普通 合伙) 44850 专利代理师 吴洪波 (51)Int.Cl. G11C 29/50(2006.01) G06K 9/62(2022.01) G06N 3/04(2006.01) G06N 3/08(2006.01) (54)发明名称 存储芯片的测试方法、 装置、 设备及存储介 质 (57)摘要 本发明涉及人工智能领域， 公开了一种存储 芯片的测试方法、 装置、 设备及存储介质， 用于提 高存储芯片 的测试效率。 所述方法包括： 获取目 标存储芯片在预设测试周期内的芯片测试数据； 对芯片测试数据进行测试数据解析， 得到测试温 度数据和测试电压数据； 对测试周期对应的测试 时间数据进行时间序列离散化处理， 得到离散时 间数据， 并对离散时间数据进行测试阶段识别， 得到多个测试阶段； 根据多个测试阶段对测试温 度数据和测试电压数据进行数据映射和数据融 合， 得到温度电压融合数据； 将温度电压融合数 据输入芯片运行状态分析模型进行芯片运行状 态分析， 得到状态分析结果； 根据状态分析结果 生成最佳工作参数 数据。 权利要求书2页 说明书10页 附图4页 CN 115440292 A 2022.12.06 CN 115440292 A 1.一种存 储芯片的测试 方法， 其特 征在于， 所述存 储芯片的测试 方法包括： 根据预置的存储芯片测试策略对目标存储芯片进行测试， 并获取所述目标存储芯片在 预设测试周期内的芯片测试 数据； 对所述芯片测试 数据进行测试 数据解析， 得到测试温度数据和 测试电压数据； 对所述测试周期对应的测试时间数据进行时间序列离散化处理， 得到离散时间数据， 并对所述离 散时间数据进行测试阶段识别， 得到多个测试阶段； 根据所述多个测试阶段对所述测试温度数据和所述测试电压数据进行数据映射和数 据融合， 得到每 个测试阶段的温度电压融合数据； 将每个测试阶段的温度电压融合数据输入预置的芯片运行状态分析模型进行芯片运 行状态分析， 得到每 个测试阶段的状态分析 结果； 根据每个测试阶段的状态分析 结果生成所述目标存 储芯片的最佳工作参数 数据。 2.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法， 其特征在于， 所述对所述芯片测试数据 进行测试 数据解析， 得到测试温度数据和 测试电压数据， 包括： 对所述芯片测试数据中的误差值进行识别， 得到目标误差值， 并对所述芯片测试数据 中的目标误差值进行去除， 得到标准测试 数据； 基于预置的属性关系库获取 所述标准测试 数据中的温度属性关系和电压属性关系； 根据所述温度属性关系提取所述标准测试数据中的测试温度数据， 并根据所述电压属 性关系查询所述标准测试 数据中的测试电压数据。 3.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法， 其特征在于， 所述对所述测试周期对应 的测试时间数据进行时间序列离散化处理， 得到离散时间数据， 并对所述离散时间数据进 行测试阶段识别， 得到多个测试阶段， 包括： 获取所述测试周期对应的测试时间数据； 对所述测试时间数据进行时间序列离 散化处理， 得到离散时间数据； 对所述离 散时间数据进行测试曲线拟合， 得到目标测试曲线； 对所述目标测试曲线 进行曲线拐点识别， 得到目标曲线拐点； 根据所述目标曲线拐点对所述离 散时间数据进行测试阶段识别， 得到多个测试阶段。 4.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法， 其特征在于， 所述根据 所述多个测试阶 段对所述测试温度数据和所述测试电压数据进行数据映射和数据融合， 得到每个测试阶段 的温度电压融合数据， 包括： 获取所述多个测试阶段的时间轴， 得到每 个测试阶段的时间轴数据； 根据每个测试阶段的时间轴数据分别对所述测试温度数据和所述测试电压数据进行 数据映射， 得到每 个测试阶段的温度数据和电压数据； 按照预置的数据融合策略对每个测试阶段的温度 数据和电压数据进行数据融合， 得到 每个测试阶段的温度电压融合数据。 5.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法， 其特征在于， 所述将每个测试阶段的温 度电压融合数据输入预置的芯片运行状态分析模型进 行芯片运行状态分析， 得到每个测试 阶段的状态分析 结果， 包括： 将每个测试阶段的温度电压融合数据输入预置的芯片运行状态分析模型， 其中， 所述 芯片运行状态分析模型包括： 双 层长短时记 忆网络、 三层门限循环网络和三层全连接网络；权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115440292 A 2将每个测试阶段的温度电压融合数据输入所述双层长短时记忆网络进行特征提取， 得 到温度电压特 征数据； 将所述温度电压特征数据输入所述三层门限循环网络进行处理， 得到目标温度电压向 量； 将所述目标温度电压向量输入所述三层全连接网络进行状态预测， 得到芯片运行状态 特征值； 根据所述芯片运行状态特 征值匹配 每个测试阶段的状态分析 结果。 6.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法， 其特征在于， 所述根据每个测试阶段的 状态分析 结果生成所述目标存 储芯片的最佳工作参数 数据， 包括： 根据每个测试阶段的状态分析 结果生成每个测试阶段的运行状态评价指标； 对每个测试阶段的运行状态评价指标进行状态比较， 得到状态比较结果； 根据所述状态比较结果从所述多个测试阶段中选取最佳测试阶段， 并将所述最佳测试 阶段对应的温度电压数据作为所述目标存 储芯片的最佳工作参数 数据。 7.根据权利要求1或6所述的存储芯片的测试方法， 其特征在于， 所述存储芯片的测试 方法还包括： 判断所述 最佳工作参数 数据是否符合预置的芯片实际工作条件； 若符合， 则将所述 最佳工作参数 数据作为所述目标存 储芯片的运行 标准。 8.一种存 储芯片的测试装置， 其特 征在于， 所述存 储芯片的测试装置包括： 获取模块， 用于根据预置的存储芯片测试策略对目标存储芯片进行测试， 并获取所述 目标存储芯片在预设测试周期内的芯片测试 数据； 解析模块， 用于对所述芯片测试数据进行测试数据解析， 得到测试温度数据和测试电 压数据； 处理模块， 用于对所述测试周期对应的测试时间数据进行时间序列离散化处理， 得到 离散时间数据， 并对所述离 散时间数据进行测试阶段识别， 得到多个测试阶段； 融合模块， 用于根据 所述多个测试阶段对所述测试温度 数据和所述测试电压数据进行 数据映射和数据融合， 得到每 个测试阶段的温度电压融合数据； 分析模块， 用于将每个测试阶段的温度电压 融合数据输入预置的芯片运行状态分析模 型进行芯片运行状态分析， 得到每 个测试阶段的状态分析 结果； 生成模块， 用于根据每个测试阶段的状态分析结果生成所述目标存储芯片的最佳工作 参数数据。 9.一种存储芯片的测试设备， 其特征在于， 所述存储芯片的测试设备包括： 存储器和至 少一个处 理器， 所述存 储器中存 储有指令； 所述至少一个处理器调用所述存储器中的所述指令， 以使得所述存储芯片的测试设备 执行如权利要求1 ‑7中任一项所述的存 储芯片的测试 方法。 10.一种计算机可读存储介质， 所述计算机可读存储介质上存储有指令， 其特征在于， 所述指令被处 理器执行时实现如权利要求1 ‑7中任一项所述的存 储芯片的测试 方法。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115440292 A 3