(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211203141.4 (22)申请日 2022.09.29 (71)申请人 西安微电子技 术研究所 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南 路198号 (72)发明人 吴道伟　南旭惊　张齐　严秋成　 刘建军　 (74)专利代理 机构 西安通大专利代理有限责任 公司 6120 0 专利代理师 崔方方 (51)Int.Cl. B08B 1/00(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 7/00(2006.01)B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 一种管壳封装植球植柱前处 理方法 (57)摘要 本发明公开了一种管壳封装植球植柱前处 理方法， 包括对半导体器件的陶瓷管壳焊盘进行 预处理， 去除焊盘表面多余物； 将经过预处理后 的半导体器件放入激光清洗设备中， 对陶瓷管壳 焊盘进行激光清洗； 将半导体器件置于等离子清 洗设备中， 对陶瓷管壳焊盘进行等离子活化。 通 过利用激光清洗的方式去除半导体器件的陶瓷 管壳焊盘表 面污染物， 裸露出洁净的焊盘表面进 行下一步的焊接工作， 避免了污染物 导致的有效 焊接面积下降或者弱连接的问题， 并且不会对陶 瓷电路产生其余附加的损伤， 能够显著的提高工 作效率， 可实现高强度的植球/植柱工艺， 降低了 陶瓷管壳的报 废率， 提高了产品的加工质量。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 115488074 A 2022.12.20 CN 115488074 A 1.一种管壳封装植球植柱前处 理方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： 对半导体 器件的陶瓷管壳焊 盘进行预处理， 去除焊 盘表面多余物； 将经过预处理后的半导体 器件放入激光清洗设备中， 对陶瓷管壳焊 盘进行激光清洗； 将半导体 器件置于等离子清洗设备中， 对陶瓷管壳焊 盘进行等离 子活化。 2.如权利要求1所述的一种管壳封装植球植柱前处理方法， 其特征在于， 所述预处理为 对半导体 器件的陶瓷管壳焊 盘采用酒精擦拭或清水冲洗 。 3.如权利要求1所述的一种管壳封装植球植柱前处理方法， 其特征在于， 所述半导体器 件为CBGA器件或C CGA器件。 4.如权利要求1所述的一种管壳封装植球植柱前处理方法， 其特征在于， 所述半导体器 件的陶瓷管壳焊 盘数量为10～2000个。 5.如权利要求1所述的一种管壳封装植球植柱前处理方法， 其特征在于， 所述激光清洗 为对陶瓷管壳焊 盘上的镀层进行去除， 去除镀层的厚度至多为80％的镀层厚度。 6.如权利要求5所述的一种管壳封装植球植柱前处理方法， 其特征在于， 所述去除镀层 的厚度为0.1 μm。 7.如权利要求1所述的一种管壳封装植球植柱前处理方法， 其特征在于， 所述激光清洗 的功率≤10 0W， 脉冲频率 为50～500kHz。 8.如权利要求1所述的一种管壳封装植球植柱前处理方法， 其特征在于， 所述激光清洗 的波长为10 64nm， 清洗速率为5000～15000mm/s。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115488074 A 2一种管壳封 装植球植柱前处理 方法 技术领域 [0001]本发明属于 封装技术领域， 涉及一种管壳封装植球植柱前处 理方法。 背景技术 [0002]随着电子系统向高密度集成化发展， 电路的引出端数量和引脚密度也急剧增长， CBGA/CCGA 器件对于外引脚制备的可靠性要求也逐渐增加。 焊点的质量对于CBGA/CCGA器件 的植球/植柱质量和长期可靠性影响至关重要， 而影响焊点可靠性的关键因素为陶瓷管壳 焊盘的表面状态， 目前植球/植柱前多采用等离子清洗或水清洗的方法进 行焊盘表面清洁， 这种方法存在以下缺 点： [0003](1)尺寸较大的不可动多余物无法去除。 等离子清洗仅能去除微观的细小多余物， 活化焊盘表面， 但是对于尺寸在毫米级以上 的多余物无法有效去除， 水清洗仅能去除粘附 度较低的多余物。 [0004](2)高熔点的氧化物无法去除。 针对高熔点氧化物， 采用等离子清洗和水清洗均无 法有效去除。 [0005]焊盘表面清洁度差或者存在难以去除的氧化物时， 多余物会阻挡焊料与焊盘之间 的扩散反应， 造成焊盘不润湿或焊接界面弱连接， 导致有效焊接面积减小， 进而降低焊点的 连接强度， 在服役 过程中极易成为裂纹萌生的位置， 最终导 致电路失效。 发明内容 [0006]本发明的目的在于解决现有技术中陶瓷管壳表面尺寸较大的不可动多余物和高 熔点的氧化物， 无法有效去除， 造成有效焊接面积减小， 容易导致电路失效的问题， 提供一 种管壳封装植球植柱前处 理方法。 [0007]为达到上述目的， 本发明采用以下技 术方案予以实现： [0008]一种管壳封装植球植柱前处 理方法， 包括以下步骤： [0009]对半导体 器件的陶瓷管壳焊 盘进行预处理， 去除焊 盘表面多余物； [0010]将经过预处理后的半导体器件放入激光清洗设备 中， 对陶瓷管壳焊盘进行激光清 洗； [0011]将半导体 器件置于等离子清洗设备中， 对陶瓷管壳焊 盘进行等离 子活化。 [0012]本发明的进一 步改进在于： [0013]所述预处 理为对半导体 器件的陶瓷管壳焊 盘采用酒精擦拭或清水冲洗 。 [0014]所述半导体 器件为CBGA器件或C CGA器件。 [0015]所述半导体 器件的陶瓷管壳焊 盘数量为10～2000个。 [0016]所述激光清洗为对陶瓷管壳焊盘上的镀层进行去除， 去除镀层的厚度至多为80％ 的镀层厚度。 [0017]所述去除镀层的厚度为0.1 μm。 [0018]所述激光清洗的功率≤10 0W， 脉冲频率 为50～500kHz。说　明　书 1/4 页 3 CN 115488074 A 3