ICS29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T14847—2010 代替GB/T14847—1993 重 掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的 红外反射测量方法 Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayerson heavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance 2011-01-10发布 2011-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 中华人民共和国 国家标准 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的 红外反射测量方法 GB/T14847—2010 * 中国标准出版社出版发行 北京复兴门外三里河北街16号 邮政编码:100045 网址:www.gb168.cn 服务热线:010-68522006 2011年8月第一版 * 书号:155066·1-42666 版权专有 侵权必究 前 言 本标准代替GB/T14847—1993《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》。 本标准与GB/T14847—1993相比,主要技术内容变化如下: ———修改原标准“1主题内容与适用范围”中衬底和外延层室温电阻率明确为在23℃下电阻率,增 加在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm之间的N型和P型外延层 厚度; ———修改原标准“2引用标准”为“规范性引用文件”,增加有关的引用标准; ———增加“3术语和定义”部分; ———补充和完善“4测试方法原理内容”; ———增加“5干扰因素部分”; ———原标准5改为7,删除“5.1衬底和外延层导电类型及衬底电阻率应是已知的”内容,增加防止 试样表面大面积晶格不完整以及要求测试前表面进行清洁处理的内容; ———原标准6改为8,对选取试样的外延厚度的要求改为对衬底电阻率和谱图波数位置的要求,并 增加8.3.5采用GB/T1552中规定的方法在对应的反面位置测试衬底电阻率; ———原标准7改为9,增加极值波数和波长的转换公式。删除原7.2经验计算法内容; ———原标准8改为10,增加多个实验室更广范围的测试数据分析结果; ———原标准9改为11,试验报告中要求增加红外仪器的波数范围、掩模孔径、波数扫描速度、波长 和极值级数等内容。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。 本标准主要起草人:李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤。 本部分所代替的历次版本标准发布情况为: ———GB/T14847—1993。 ⅠGB/T14847—2010