书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犆犆犛犎 ８２ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A 犌犅 ／ 犜 ２６０６９ — ２０２２ /G21 /G22 犌犅 ／ 犜 ２６０６９ — ２０１０ /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G28 犃狀狀犲犪犾犲犱犿狅狀狅犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狊 ２０２２  ０３  ０９ /G29 /G2A ２０２２  １０  ０１ /G2B /G2C /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G27 /G28 /G29 /G2A /G33 /G2F /G30 /G34 /G35 /G36 /G29 /G2A 书 书 书前 　　 言 　　 本文件按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２０２０ 《 标准化工作导则 　 第 １ 部分 ： 标准化文件的结构和起草规则 》 的规定起草 。 本文件代替 ＧＢ ／ Ｔ２６０６９ — ２０１０ 《 硅退火片规范 》， 与 ＧＢ ／ Ｔ２６０６９ — ２０１０ 相比 ， 除结构调整和编辑性改动外 ， 主要技术变化如下 ： ａ ） 　 “ 范围 ” 一章增加了包装 、 标志 、 运输 、 贮存 、 随行文件及订货单等内容 ， 更改了硅单晶退火片的适用范围 （ 见第 １ 章 ， ２０１０ 年版的第 １ 章 ）； ｂ ） 　 增加了术语 “ 退火片 ”“ 技术代 ” 及其定义 （ 见第 ３ 章 ）； ｃ ） 　 增加了 ６５ｎｍ 、 ４５ｎｍ 、 ３２ｎｍ 和 ２２ｎｍ 集成电路线宽所需的硅单晶退火片的技术规格 （ 见第 ４ 章 ）； ｄ ） 　 增加了退火片的基本要求应符合 ＧＢ ／ Ｔ１２９６２ 、 ＧＢ ／ Ｔ２９５０４ 、 ＧＢ ／ Ｔ１２９６５ 、 ＧＢ ／ Ｔ２９５０８ 的要求 （ 见 ５．１ ）； ｅ ） 　 更改了硅片标识 、 径向氧含量 、 厚度及允许偏差 、 局部光散射体等要求 ， 删除了直径 、 边缘表面条件 、 平整度 、 滑移 、 体微缺陷 （ ＢＭＤ ） 刻蚀带深度等要求 ， 增加了主参考面或切口晶向 、 边缘轮廓 、 背表面状态 、 洁净区宽度 （ ＤＺ ） 等要求 （ 见第 ５ 章 ， ２０１０ 年版的 ４．２ ）； ｆ ） 　 删除了径向电阻率变化 、 晶向 、 参考面长度 、 主参考面晶向 、 晶体完整性 、 直径 、 间隙氧含量 、 间隙氧含量径向变化 、 边缘轮廓的测量方法 （ 见 ２０１０ 年版的 ５．３ 、 ５．４ 、 ５．５ 、 ５．６ 、 ５．７ 、 ５．９ 、 ５．１０ 和 ５．１５ ） ｇ ） 　 更改了厚度 、 总厚度变化 、 局部平整度的测量方法 （ 见 ６．３ ， ２０１０ 年版的 ５．１１ 和 ５．１３ ）； ｈ ） 　 更改了翘曲度的测量方法 （ 见 ６．４ ， ２０１０ 年版的 ５．１２ ）； ｉ ） 　 增加了背表面光泽度的测量方法 （ 见 ６．６ ）； ｊ ） 　 更改了表面金属含量的测试方法 （ 见 ６．８ ， ２０１０ 年版的 ５．１７ ）； ｋ ） 　 增加了体金属 （ 铁 ） 含量的测试方法 （ 见 ６．１０ ）； ｌ ） 　 增加了洁净区宽度及体微缺陷密度的检验方法 （ 见 ６．１１ ）； ｍ ） 　 更改了组批方式 （ 见 ７．２ ， ２０１０ 年版的 ６．２ ）； ｎ ） 　 全检项目中增加了导电类型 、 几何参数 、 表面金属含量和氧化诱生缺陷 （ 见 ７．３．１ ）； ｏ ） 　 增加了检验结果的判定 （ 见 ７．５ ）； ｐ ） 　 更改了包装 （ 见 ８．１ ， ２０１０ 年版的 ７．２ ）； ｑ ） 　 增加了随行文件 （ 见 ８．５ ）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ） 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ／ ＳＣ２ ） 共同提出并归口 。 本文件起草单位 ： 有研半导体硅材料股份公司 、 山东有研半导体材料有限公司 、 浙江众晶电子有限公司 、 洛阳鸿泰半导体有限公司 、 开化县检验检测研究院 、 浙江中晶科技股份有限公司 、 浙江金瑞泓科技股份有限公司 、 浙江海纳半导体有限公司 、 中环领先半导体材料有限公司 。 本文件主要起草人 ： 孙燕 、 宁永铎 、 楼春兰 、 陈锋 、 黄笑容 、 王振国 、 张海英 、 潘金平 、 由佰玲 。 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为 ：——— ２０１０ 年首次发布为 ＧＢ ／ Ｔ２６０６９ — ２０１０ ；——— 本次为第一次修订 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ２６０６９ — ２０２２ 硅单晶退火片 １ 　 范围 本文件规定了硅单晶退火片 （ 以下简称退火片 ） 的分类 、 技术要求 、 试验方法 、 检验规则 、 包装 、 标志 、 运输 、 贮存 、 随行文件及订货单内容 。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片 ， 产品用于技术代 １８０ｎｍ ～ ２２ｎｍ 的集成电路 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 。 其中 ， 注日期的引用文件 ， 仅该日期对应的版本适用于本文件 ； 不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ１５５０ 　 非本征半导体材料导电类型测试方法 ＧＢ ／ Ｔ２８２８．１ — ２０１２ 　 计数抽样检验程序 　 第 １ 部分 ： 按接收质量限 （ ＡＱＬ ） 检索的逐批检验抽样计划 ＧＢ ／ Ｔ４０５８ 　 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 ＧＢ ／ Ｔ６６１６ 　 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 　 非接触涡流法 ＧＢ ／ Ｔ６６２４ 　 硅抛光片表面质量目测检验方法 ＧＢ ／ Ｔ１２９６２ 　 硅单晶 ＧＢ ／ Ｔ１２９６５ 　 硅单晶切割片和研磨片 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 　 半导体材料术语 ＧＢ ／ Ｔ１９９２１ 　 硅抛光片表面颗粒测试方法 ＧＢ ／ Ｔ２９５０４ 　 ３００ｍｍ 硅单晶 ＧＢ ／ Ｔ２９５０７ 　 硅片平整度 、 厚度及总厚度变化测试 　 自动非接触扫描法 ＧＢ ／ Ｔ２９５０８ 　 ３００ｍｍ 硅单晶切割片和磨削片 ＧＢ ／ Ｔ３２２８０ 　 硅片翘曲度和弯曲度的测试 　 自动非接触扫描法 ＧＢ ／ Ｔ３９１４５ 　 硅片表面金属元素含量的测定 　 电感耦合等离子体质谱法 ＹＳ ／ Ｔ２８ 　 硅片包装 ＹＳ ／ Ｔ６７９ 　 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 　 表面光电压法 ３ 　 术语和定义 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 。 ３ ． １ 退火片 　 犪狀狀犲犪犾犲犱狑犪犳犲狉 在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无晶体缺陷 ［ 包括晶体原生凹坑 （ ＣＯＰ ）］ 的硅片 。 １ 犌犅 ／ 犜 ２６０６９ — ２０２２ ３ ． ２ 技术代 　 狋犲犮犺狀狅犾狅犵狔犵犲狀犲狉犪狋犻狅狀 在集成电路制造中特定工艺的特征尺寸 ， 即由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸 。 注 ： 技术代也称为技术节点 。 ４ 　 分类 退火片按技术代分为 １８０ｎｍ 、 １３０ｎｍ 、 ９０ｎｍ 、 ６５ｎｍ 、 ４５ｎｍ 、 ３２ｎｍ 和 ２２ｎｍ 七种规格 ， 其他规格 由供需双方协商确定 。 ５ 　 技术要求 ５ ． １ 　 基本要求 退火片的基本要求应符合 ＧＢ ／ Ｔ１２９６２ 、 ＧＢ ／ Ｔ２９５０４ 、 ＧＢ ／ Ｔ１２９６５ 、 ＧＢ ／ Ｔ２９５０８ 及表 １ 的规定 。 除导电类型 、 电阻率外的基本要求指标 ， 仅由供方提供各项检验结果 。 表 １ 　 基本要求 技术代 １８０ｎｍ１３０ｎｍ９０ｎｍ ６５ｎｍ ４５ｎｍ ３２ｎｍ ２２ｎｍ 生长方式 直拉法 （ ＣＺ ） 或磁场拉晶法 （ ＭＣＺ ） 晶向 ＜ １００ ＞ 晶向偏离度 ０°±０．５° 导电类型 ｐ 掺杂剂 硼 晶体中共掺杂 无掺杂或由供需双方协商确定的氮或碳的共掺杂 电阻率 （ 中心点 ） 供需双方协商确定 径向电阻率变化 ≤ ２０％ 氧含量 供需双方协商确定 径向氧含量变化 ≤ １０％ （ 距边缘 １０ｍｍ ） 碳含量 ≤ ２．５×１０ １６ ｃｍ －３ （ ０．５ｐｐｍａ ） 晶体缺陷 （ 位错 、 系属结构 、 孪晶 、 漩涡等 ） 无 标志 选择字母数字刻字或供需双方协商确定 主参考面或切口晶向 ＜ １１０ ＞ ±１° 或供需双方协商确定 边缘轮廓 供需双方协商确定 边缘抛光 供需双方协商确定 正表面薄膜 无 外吸杂 无 背封 无 背表面状态 供需双方协商确定 抛光 ２ 犌犅 ／ 犜 ２６０６９ — ２０２２